碳化硅（SiC）單晶爐的長晶方式（晶體制備方法）主要包括物理氣相傳輸（Physical Vapor Transport, PVT）、高溫化學(xué)氣相積淀（HTCVD）及液相外延（LPE）奮勇向前。

1. 物理氣相傳輸（PVT）

PVT工藝概述：

- 加熱模式： 電感加熱和電阻加熱推廣開來。

- 溫度控制： 2400℃左右的有效手段。

- 溫度測量方法： 高溫計(jì)通過石英窗口精準調控、保溫層通孔測試坩堝底部或頂部的溫度。

- 溫度測量點(diǎn)： 上測溫十分落實、下測溫進行部署、或上下測溫。

PVT溫度監(jiān)測細(xì)節(jié)：

- 上測溫： 在坩堝頂部安裝高溫計(jì)約定管轄，監(jiān)測頂部溫度雙向互動，適用于檢測晶體生長區(qū)域的溫度。

- 下測溫： 在坩堝底部安裝高溫計(jì)新創新即將到來，監(jiān)測底部溫度生產效率，主要用于控制坩堝內(nèi)材料的均勻加熱。

- 上下測溫： 同時(shí)在坩堝頂部和底部安裝高溫計(jì)設計能力，實(shí)現(xiàn)對坩堝內(nèi)溫度的監(jiān)測和精確控制更合理。

2. 高溫化學(xué)氣相積淀（HTCVD）

HTCVD工藝概述：

- 技術(shù)挑戰(zhàn)： 沉積溫度控制。

- 溫度測量方法： 需要在高溫條件下精確測量氣相中的溫度適應性，以確保晶體生長的純度和速率顯著。

- 溫度監(jiān)測設(shè)備： 高溫計(jì)與熱電偶組合，可能需要多點(diǎn)溫度測量更優美。

HTCVD溫度監(jiān)測細(xì)節(jié)：

- 多點(diǎn)溫度測量： 使用多個(gè)高溫計(jì)和熱電偶需求，監(jiān)測氣相積淀反應(yīng)區(qū)不同位置的溫度，確保溫度場的均勻性更為一致。

- 溫度控制系統(tǒng)： 結(jié)合反饋控制系統(tǒng)有所應，根據(jù)實(shí)時(shí)溫度數(shù)據(jù)調(diào)整加熱功率，確保溫度的穩(wěn)定性和精確性多種場景。

3. 液相外延（LPE）

LPE工藝概述：

- 技術(shù)挑戰(zhàn)： 生長速率和結(jié)晶質(zhì)量的平衡科技實力。

- 溫度測量方法： 需要精確監(jiān)測液相中的溫度，以控制晶體生長的速率和質(zhì)量集中展示。

- 溫度監(jiān)測設(shè)備： 高溫計(jì)和熱電偶可靠保障。

LPE溫度監(jiān)測細(xì)節(jié)：

- 液相溫度測量： 在液相外延反應(yīng)區(qū)設(shè)置高溫計(jì)，監(jiān)測液相中的溫度變化建設。

- 溫度均勻性監(jiān)測： 在液相中設(shè)置多個(gè)測溫點(diǎn)共同，確保整個(gè)液相區(qū)域溫度的一致性。

- 反饋控制： 使用實(shí)時(shí)溫度數(shù)據(jù)，結(jié)合控制系統(tǒng)調(diào)整加熱功率和冷卻速率在此基礎上，實(shí)現(xiàn)精確溫度控制推進一步。

編輯搜圖

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紅外高溫計(jì)推薦型號

由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制，推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計(jì)開展。以下是推薦型號：

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- INFRARETON T1-726R：700~2600℃相對開放，雙色，高溫綜合運用，國產(chǎn)化。

碳化硅長晶工藝中的溫度監(jiān)測方案至關(guān)重要增產，不同工藝方法需要采用不同的溫度測量和控制策略脫穎而出。PVT法通過上下測溫高溫計(jì)實(shí)現(xiàn)坩堝溫度的精確控制；HTCVD法通過多點(diǎn)溫度測量和反饋控制系統(tǒng)確保沉積溫度的穩(wěn)定的方法；LPE法則通過多點(diǎn)測溫和均勻性監(jiān)測實(shí)現(xiàn)液相外延的高質(zhì)量生長積極影響。結(jié)合高溫計(jì)和熱電偶等測溫設(shè)備，配合精密的控制系統(tǒng)廣泛關註，可以有效提高SiC晶體的質(zhì)量和長晶效率豐富。