在高溫區(qū)(2000℃)將碳化硅SiC粉末升華更適合，將碳化硅SiC氣體沿著溫度梯度輸送特點，在較冷的尾部碳化硅SiC籽品凝聚為晶體資料。

目前國際主流大規(guī)模應(yīng)用的晶體生長方法動手能力，具有技術(shù)方案成熟創造更多、生長過程簡單創新能力、設(shè)備成本低等特點(diǎn)進行部署。技術(shù)難點(diǎn)主要為大尺寸襯底制備緊密相關、缺陷水平控制及良率提升逐步顯現。

加熱模式

SiC PVT長晶爐有電感加熱和電阻加熱加熱兩種加熱模式作用。

測溫方式

溫度一般需要控制2400℃上下，由于生產(chǎn)過程不可見近年來，為保證晶體生長品質(zhì)需要精確調(diào)控生長溫度銘記囑托，有上測溫、下測溫形式、或上下測溫等多種形式擴大，高溫計(jì)通過石英窗口、保溫層通孔測試坩堝底部或頂部的溫度傳遞。

SiC長晶工藝溫度監(jiān)測方案

由于設(shè)備結(jié)構(gòu)限制讓人糾結，推薦使用帶有視頻瞄準(zhǔn)的高溫計(jì)；可以選用以下型號(hào)：

推薦一：

IMPAC  ISR 6   發揮效力，  1000~3000℃  全面革新，雙色，高溫穩定發展，小光斑

推薦二：

IMPAC  IGAR 6  Smart  方便，100~2550℃ 明顯，雙色，寬量程基石之一，低高溫兼顧

推薦三：

IMPAC  IGA 6   基礎上，250~2550℃   ，單色行業分類，寬量程預下達，低高溫兼顧