碳化硅在半導(dǎo)體領(lǐng)域(SiC)它是一種備受關(guān)注的材料的特點，因其優(yōu)異的高溫和低溫工作性能而備受尊敬長效機製。碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體，可以在高溫和低溫環(huán)境下保持良好的電氣性能是目前主流，在許多領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。

溫度變化會(huì)影響碳化硅片的物理重要手段、化學(xué)和電學(xué)性能，高溫下其會(huì)熱膨脹橫向協同、硬度及機(jī)械性能改變落地生根、化學(xué)反應(yīng)活性增強(qiáng)、原子擴(kuò)散加快技術的開發、載流子遷移率變化成效與經驗，低溫時(shí)會(huì)收縮、變脆健康發展，在不同溫區(qū)還會(huì)因環(huán)境因素引發(fā)如吸附水汽提供了有力支撐、影響電學(xué)性能等各類相關(guān)情況。

Impac IS 50-Si-LO plus測溫儀采用特殊波長堅實基礎，適用于硅片的測量積極，測溫范圍400-1600 °C，該儀器配備了一根光纖以及一個(gè)可更換的光纖測頭還不大，不受電磁干擾（如：感應(yīng)）的影響好宣講，耐溫可高達(dá)250 °C。
根據(jù)不同的測量距離保障性，有兩個(gè)不同的測頭可供選擇不斷進步，可實(shí)現(xiàn)小的光斑尺寸。激光靶光可以用來瞄準(zhǔn)測量物體領先水平。