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晶體生長(zhǎng)爐溫度測(cè)量技術(shù)及應(yīng)用:IMPAC紅外測(cè)溫儀

更新時(shí)間:2025-04-21點(diǎn)擊次數(shù):266

非接觸式紅外線測(cè)溫儀在晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域中發(fā)揮著關(guān)鍵作用稍有不慎。本文詳細(xì)介紹了上海明策電子提供的Impac紅外測(cè)溫儀尤為突出,尤其是Impac IGA 6/23和Impac 600系列的技術(shù)特點(diǎn)及應(yīng)用實(shí)例交流研討。測(cè)溫儀結(jié)合輻射屏蔽技術(shù)達到,有效提高了晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)發(fā)射率及溫度測(cè)量的準(zhǔn)確性。

引言

晶體材料的生產(chǎn)過(guò)程通常涉及高溫環(huán)境溝通協調,輻射傳熱占據(jù)主導(dǎo)地位拓展,準(zhǔn)確測(cè)量表面溫度是實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量晶體生長(zhǎng)的重要基礎(chǔ)提供堅實支撐。Impac系列測(cè)溫儀因其非接觸測(cè)量特性和高精度測(cè)量結(jié)果活動,廣泛應(yīng)用于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)各類(lèi)溫度監(jiān)控任務(wù)。

測(cè)溫儀原理及技術(shù)特點(diǎn)

Impac系列測(cè)溫儀基于輻射測(cè)溫原理創造更多,測(cè)量物體表面的輻射溫度還不大,通過(guò)普朗克定律與實(shí)際溫度建立聯(lián)系。本文主要介紹了兩款測(cè)溫儀的不同用途:

  • Impac IGA 6/23短波測(cè)溫儀(波長(zhǎng)范圍2–2.6 µm)連日來,適用于高溫(>1000°C)表面的精準(zhǔn)測(cè)量保障性。

  • Impac 600系列長(zhǎng)波測(cè)溫儀(波長(zhǎng)范圍8–14 µm),用于低溫(<100°C)表面溫度的測(cè)量信息化技術。

兩種測(cè)溫儀均經(jīng)過(guò)工業(yè)黑體爐校準(zhǔn)領先水平,測(cè)量精度高,輻射溫度測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)誤差為±2°C責任製。

輻射屏蔽技術(shù)在測(cè)溫儀中的應(yīng)用

為減少背景輻射對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響效率,尤其是在測(cè)量低發(fā)射率材料(金屬表面)時(shí),使用了特殊設(shè)計(jì)的不銹鋼半球形反射輻射屏蔽罩,通過(guò)反射放大樣品輻射信號(hào)增強,有效降低環(huán)境輻射的干擾倍增效應。測(cè)溫儀通過(guò)屏蔽罩上的小孔直接觀察目標(biāo)表面,顯著提高了測(cè)量精度戰略布局。對(duì)高發(fā)射率材料(如石墨)則采用高發(fā)射率涂層屏蔽罩重要意義,避免輻射信號(hào)被過(guò)度放大。

應(yīng)用實(shí)例與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證

實(shí)驗(yàn)室臺(tái)式和實(shí)際晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)的現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量分別進(jìn)行了驗(yàn)證更加堅強,針對(duì)高發(fā)射率涂層和低發(fā)射率金屬(金提供有力支撐、錫)進(jìn)行測(cè)試。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與文獻(xiàn)數(shù)據(jù)的一致性較好配套設備,證明了Impac測(cè)溫儀及配套輻射屏蔽技術(shù)在復(fù)雜環(huán)境中的適用性和測(cè)量可靠性日漸深入。

現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量數(shù)據(jù)顯示,即使在晶體生長(zhǎng)爐復(fù)雜環(huán)境下引領作用,測(cè)量誤差也控制在合理范圍(最大20%以內(nèi))預期,展示了Impac測(cè)溫儀的實(shí)用價(jià)值。

測(cè)量不確定性分析

測(cè)溫儀的測(cè)量精度會(huì)受到溫度范圍、發(fā)射率以及測(cè)量波長(zhǎng)影響加強宣傳。短波測(cè)溫儀在高溫區(qū)具有更高的測(cè)量精度,而在低發(fā)射率材料測(cè)量時(shí)相對(duì)誤差較大對外開放,但通過(guò)輻射屏蔽技術(shù)的配合應(yīng)用互動式宣講,相對(duì)誤差能夠控制在5%以內(nèi)。


Impac系列測(cè)溫儀以其精度高用的舒心、非接觸特性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)結構,成功應(yīng)用于晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)溫度測(cè)量,特別適合復(fù)雜環(huán)境下的溫度監(jiān)控模式。未來(lái)效果較好,通過(guò)改進(jìn)屏蔽罩材料(如使用金等高反射率材料)進(jìn)一步提高測(cè)量精度,并將測(cè)溫儀技術(shù)推廣至更高溫度范圍(1000°C以上)貢獻,以滿足晶體生長(zhǎng)行業(yè)不斷發(fā)展的技術(shù)需求廣泛應用。



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